旋片真空泵在半導體刻蝕工藝（yì）中的應用的目的（de）是（shì）把經（jīng）曝光、顯影後（hòu）光刻膠微圖形（xíng）中下層材料的裸露部分去（qù）掉，即在下層材料上重現與光刻膠相同的圖形。刻（kè）蝕是半導體（tǐ）製造工藝，微電子IC製造工藝以及微納製造工藝中的一種相當重要的步（bù）驟。是與光刻相聯係的圖形化處理的一種主（zhǔ）要工藝。所謂刻蝕（shí），實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光（guāng）刻曝光處理，然後通過其它方式實現腐蝕處理掉所需除去的部分。隨著（zhe）微製造工藝的發展，廣義上來講，刻蝕成了通過溶液、反應（yīng）離子或其它機械（xiè）方式來剝（bāo）離、去除材料的一種統稱，成為微加工製造的一種普（pǔ）適叫法。

下麵分別介紹Si3N4刻蝕的流程：

半（bàn）導體刻（kè）蝕工藝之Si3N4刻蝕：

在903E刻蝕機中刻蝕，刻蝕（shí）機內通入的氣體有：CF4、NF3、He。氟遊離基的作用是使氮化矽被腐蝕，生成物是氣體，被旋片真空泵抽氣抽走。為了加快腐蝕速率可（kě）以在CF4中加入少量氧氣（5%-8%），因為氧能夠抑製F*在反應腔壁的損失，並且：CF4+O2→F* +O*+COF*+COF2+CO+…… （電離）。COF*壽命較長，當它運動到（dào）矽片表麵時發生以下反應從而加速了腐蝕速率：COF*→F* CO （電離），但是氧氣加多了要腐蝕光刻膠降低選擇比。

刻蝕是微細（xì）加工技術的一個重要組成部分（fèn），微電子學的快速發展推動其不斷（duàn）向前。從總（zǒng）體上來說，刻蝕技術（shù）可分為（wéi）幹法刻蝕和濕法（fǎ）刻蝕（shí）兩種，初期的刻蝕以濕法刻蝕為主，但隨著器件製作進入（rù）微米、亞（yà）微米時代，濕法刻蝕難以滿足越來越高的精度要求。幹法刻蝕技（jì）術得以很（hěn）大進展。幹法刻蝕一般為通過物理和化學（xué）兩個方麵相結合的辦法來去除被刻蝕的薄膜，因此（cǐ）刻蝕具有各（gè）向（xiàng）異性，這就可以從根本上（shàng）改善（shàn）濕法所固有的橫向鑽蝕問題，從而滿足微細線條刻蝕的要求。常用的刻蝕方法有很多，旋片真空技術是其中的一種。半導體（tǐ）刻蝕工（gōng）藝用旋片真空泵具有（yǒu）刻（kè）速快、選擇比高、各向異性高、刻蝕損傷小、大麵（miàn）積均勻性好、刻蝕斷麵輪廓可控性高和刻蝕表麵平整光滑等優點，近年來（lái），德國旋（xuán）片真空泵被廣泛應用（yòng）在矽、二氧化（huà）矽、Ⅲ-Ⅴ族化（huà）合物等材料的刻（kè）蝕上，取得了很好的刻蝕效果，可以滿足製作（zuò）超（chāo）大規模集成電路、MEMS、光電子器件等（děng）各種微結構器件的要求。

通過旋片真空泵在半導體刻蝕工藝中的應用（yòng）這個實例，可以（yǐ）反映（yìng）出（chū）隨著人們對91污旋片真空泵的進（jìn）一步了解和設備的進一步完善，真空技術會更（gèng）加適應刻蝕多樣化的要求（qiú），從而被（bèi）越來越多地應用到器件製作工藝（yì）中去，成為刻蝕的主流技（jì）術，從整體上提高器件的製備水平（píng），進一步促進器件水平的提高、結構的更新和集成度（dù）的提高，更（gèng）好地獲得一（yī）個很好的效果。